EUV 需求旺盛 半导体设备厂获益良多

原标题:EUV需求旺盛,半导体设备工厂受益匪浅

据中央社报道,TSMC、英特尔和三星已投资极紫外(EUV)技术,以制造更小、更强大的处理器。相关设备成本昂贵,导致三家制造商的资本支出大幅上升,而ASML等半导体设备厂受益匪浅。

Extremeultravioletlithography(英文:extreme uv lithography,也称为EUV或EUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的下一代光刻技术,波长为13.5纳米,预计将在2020年广泛使用 几乎所有的光学材料都对波长为13.5纳米的极紫外光有很强的吸收,所以EUV光刻机的光学系统只使用镜子。

与普通光源相比,EUV系统可以使芯片电路更加小型化,但其相应的制造成本也随着上升的浪潮而增加。 主要是由于EUV光刻设备价格高

ASML说,在第三季度,仅7个EUV系统的销售就带来了7.43亿欧元,相当于每套系统要价超过1亿欧元。 这不包括半导体工艺控制和测试设备的成本 因此,晶圆代工主要制造商的资本支出有大幅增加的趋势。

TSMC在10月份的业绩会议上宣布,今年资本支出达到140亿至150亿美元,比原定目标高出近40%,创下TSMC一年资本支出的纪录。 英特尔随后宣布资本支出增加3%,今年达到160亿美元的目标,这是公司成立以来的最高水平,比两年前高出36%

三星上周还宣布,今年半导体行业的资本支出约为200亿美元。 三星宣布的数量略低于去年,但行业分析师表示,三星今年大幅减少了对内存生产的投资,以便为下一代晶圆生产厂投入更多资源。

另一家主要晶圆制造厂英特尔公司的晶体管密度为10纳米,基本达到了TSMC/三星公司的7纳米EUV水平。它使用的制造工艺只是一种类似于TSMC的多重开发DUV技术,EUV技术将在未来7纳米真正引入,以实现更高的晶体管密度。然而,根据市场预测,英特尔的7纳米技术可能达到与三星的5纳米相似的晶体管密度,但也将落后于TSMC的5纳米

虽然晶圆厂的资本支出大幅增加,但这意味着半导体设备厂将受益匪浅。 ASML表示,第三季度它在一个季度收到了23份EUV系统订单,这是一个季度的最高订单量。半导体过程控制设备制造商克雷(Kelei)上周宣布,本财年第一季度的年收入增长率为29%,并称EUV投资是业绩增长的主要因素。

据报道,EUV明年的需求预计会更加强劲,半导体设备厂的前景会更好。

(责任编辑:DF515)

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